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[发明专利]多晶硅场限环-CN201310177855.7有效
发明人：苏少爽 -专利权人：江西创成半导体有限责任公司
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：一种多晶硅场限环，在制作高压器件场限环终端时采用半绝缘多晶硅掺杂替代传统的单晶硅掺杂以改善高压器件的耐压特性。该多晶硅场限环特点在于：制作高压器件场限环终端时采用了半绝缘多晶硅掺杂。该多晶硅场限环的实现要点包括：1)采用半绝缘多晶硅制作高压器件场限环的终端结构；2)制作高压器件场限环中半绝缘多晶硅掺杂的元素及其浓度，所述掺杂的元素包括：为使耐压特性改善在多晶硅中掺加氧、氮、磷等；3)制作高压器件场限环终端时采用了半绝缘多晶硅的制作工艺流程，所述半绝缘多晶硅的制作工艺流程包括刻蚀、多晶硅淀积、及后续的保护层。
多晶硅场限环

[发明专利]一种用于半导体功率器件的终端-CN201810873584.1在审
发明人：缪志平 -专利权人：盛廷微电子（深圳）有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种用于半导体功率器件的终端，该用于半导体功率器件的终端包括：集电极、基区、多个场限环以及多个与所述场限环对应的场板组，所述场板组包括相互电性连接的第一多晶硅场板和金属场板，所述第一多晶硅场板、所述金属场板依次位于所述场限环的上方，所述第一多晶硅场板和所述金属场板均与所述场限环电性连接，所述金属场板覆盖所述第一多晶硅场板。
半导体功率器件多晶硅场板金属场板场限环终端电性连接场板电场尖峰场板边缘击穿电压集电极基区减小覆盖

[实用新型]一种用于半导体功率器件的终端-CN201821240990.6有效
发明人：缪志平 -专利权人：盛廷微电子（深圳）有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于半导体功率器件的终端，该用于半导体功率器件的终端包括：集电极、基区、多个场限环以及多个与所述场限环对应的场板组，所述场板组包括相互电性连接的第一多晶硅场板和金属场板，所述第一多晶硅场板、所述金属场板依次位于所述场限环的上方，所述第一多晶硅场板和所述金属场板均与所述场限环电性连接，所述金属场板覆盖所述第一多晶硅场板。
半导体功率器件多晶硅场板金属场板场限环终端本实用新型电性连接场板电场尖峰场板边缘击穿电压集电极基区减小覆盖

[发明专利]一种高压功率半导体器件的边缘终端结构-CN201010246816.4无效
发明人：胡佳贤;韩雁;揭英亮;陈素鹏;张世峰;张斌 -专利权人：浙江大学;广东省粤晶高科股份有限公司
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压功率半导体器件的边缘终端结构，包括若干个将功率半导体器件环绕、与衬底具有相反导电类型的场限环，在场限环周围设有与场限环导电类型相同，掺杂浓度小于场限环的掺杂区域，该掺杂区域将场限环包裹，场限环上覆有场板，场限环与场板之间用二氧化硅层间隔。场板的材料可选自铜、铝、多晶硅或掺氧多晶硅等。由于在传统场限环的周围增加了浓度更低的掺杂区域可有效减小了边缘元胞电场线的密集程度，降低了边缘元胞承受的电场强度，使击穿电压得到提高，有效提高边缘终端结构的面积效率，节省了芯片面积，缩减了芯片成本。
一种高压功率半导体器件边缘终端结构

[发明专利]一种高压功率半导体器件的边缘终端结构-CN201010246809.4无效
发明人：胡佳贤;韩雁;张世峰;张斌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压功率半导体器件的边缘终端结构，包括若干个将功率半导体器件环绕、与衬底具有相反导电类型的场限环，在每个场限环单侧或两侧设有与场限环导电类型相同，掺杂浓度小于场限环的掺杂区域，场限环上覆有场板，场限环与场板之间用二氧化硅层间隔。场板的材料可选自铜、铝、多晶硅或掺氧多晶硅等。由于在传统场限环的周围增加了浓度更低的掺杂区域可有效减小了边缘元胞电场线的密集程度，降低了边缘元胞承受的电场强度，使击穿电压得到提高，有效提高边缘终端结构的面积效率，节省了芯片面积，缩减了芯片成本。
一种高压功率半导体器件边缘终端结构

[实用新型]一种功率半导体器件沟槽型耐压环结构-CN201720986916.8有效
发明人：徐吉程;范玮;袁力鹏 -专利权人：西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种功率半导体器件沟槽型耐压环结构，包括至少一个沟槽型耐压环，每个沟槽型耐压环包括场限环和与所述场限环横向连接的第一栅氧化层、与所述第一栅氧化层横向连接的多晶硅、与所述多晶硅横向连接的第二栅氧化层、与所述第二栅氧化层横向连接的P型主结，所述第一栅氧化层和第二栅氧化层位于所述多晶硅的两侧；所述场限环包括由内到外依次设置的第一场限环和第二场限环。
一种功率半导体器件沟槽耐压结构

[发明专利]一种高压终端-CN201110303575.7有效
发明人：李思敏 -专利权人：李思敏
申请日： 2011-10-09 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种高压终端，在槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管的有源区的外围，有重掺杂P+型槽形场限环，槽的深度1-6微米，场限环的上面有重掺杂N+型多晶硅环形场板，多晶硅场板的上表面与金属层AL相连，金属层AL与P+型槽形场限环的槽的底面相连接本发明的高压终端与槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管的管芯工艺相匹配，能够节约材料，减少光刻次数，降低成本，缩短加工周期。
一种高压终端

[发明专利]一种IGBT终端结构及其制造方法-CN201410100834.X有效
发明人：王耀华;赵哿;李立 -专利权人：国家电网公司;国网智能电网研究院;国网北京市电力公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：IGBT终端结构包括N型单晶硅片、P型场限环、场氧化层、栅氧化层、多晶硅层、硼磷硅玻璃以及金属层，P型场限环位于N型单晶硅片中，场氧化层和栅氧化层并行排列，均位于N型单晶硅片的表面，多晶硅层位于场氧化层表面，硼磷硅玻璃位于场氧化层的表面并延伸至多晶硅层和栅氧化层的表面，在硼磷硅玻璃刻蚀有金属连接孔，金属层通过金属连接孔与P型场限环及多晶硅层连接；在P型场限环的外侧增加结深比场限环浅的P型环，使PN结在反偏时耗尽层进一步扩展该制造方法中增加的P型环和有源区P阱注入使用同一块掩膜版，在P阱注入完成该区域的注入掺杂。
场限环场氧化层多晶硅层硼磷硅玻璃栅氧化层终端结构金属连接孔金属层制造并行排列终端效率耗尽层结位置掩膜版反偏减小结深刻蚀源区柱面掺杂延伸

[发明专利]分段式复合场板的终端结构-CN202011201439.2在审
发明人：刘琦;杨乐;刘雯娇 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提出一种分段式复合场板的终端结构，隶属于功率半导体器件技术领域。本发明包括环注入区、多晶硅、短场板、接触孔、以及截止环金属；环注入区位于栅极引线外侧，多晶硅位于环注入区外侧；环注入区和多晶硅重复排布多组；截止环金属在最后一个多晶硅外侧，是芯片最外面一圈结构；短场板在环注入区和多晶硅上面，通过接触孔实现和环注入区的连接；短场板在多晶硅的上面阵列式排列形成多晶硅和短场板的阵列区。该结构解决了在实现金属场板和场限环的连接时会遇到场限环间距太近、接触孔和金属边缘距离不够、导致金属间距不能满足金属湿法刻蚀工艺要求的问题，在有限的终端面积上实现了更高的耐压，同时还提高了器件抗热应力的能力
段式复合终端结构

[实用新型]一种IGBT终端结构-CN201420122803.X有效
发明人：王耀华;赵哿;李立 -专利权人：国家电网公司;国网智能电网研究院;国网北京市电力公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：IGBT终端结构包括N型单晶硅片、P型场限环、场氧化层、栅氧化层、多晶硅层、硼磷硅玻璃以及金属层，P型场限环位于N型单晶硅片中，场氧化层和栅氧化层并行排列，均位于N型单晶硅片的表面，多晶硅层位于场氧化层表面，硼磷硅玻璃位于场氧化层的表面并延伸至多晶硅层和栅氧化层的表面，在硼磷硅玻璃刻蚀有金属连接孔，金属层通过金属连接孔与P型场限环及多晶硅层连接；在P型场限环的外侧增加结深比场限环浅的P型环，使PN结在反偏时耗尽层进一步扩展该制造方法中增加的P型环和有源区P阱注入使用同一块掩膜版，在P阱注入完成该区域的注入掺杂。
一种 igbt 终端结构

[发明专利]一种抗单粒子辐射VDMOS器件终端的制造方法-CN202310727751.2在审
发明人：徐政;吴素贞;洪根深;谢儒彬;张庆东;徐海铭;廖远宝;唐新宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种抗单粒子辐射VDMOS器件终端的制造方法，属于半导体器件领域，包括如下步骤：提供包括n+硅衬底和n‑外延层的硅晶圆；在n‑外延层中形成P‑场限环；在n‑外延层中形成N‑截止环；在P‑场限环中形成P+收集环；依次淀积SiO2和多晶并进行多晶刻蚀形成多晶场板；再淀积SiO2，刻蚀形成多晶接触孔和硅接触孔；继续刻蚀多晶场板及单晶硅衬底形成硅凹槽；在正面淀积正面金属并进行刻蚀形成金属场板；在n+硅衬底的背面淀积背面金属形成漏极。本发明提高了VDMOS终端场限环收集空穴的能力，实现了终端单粒子加固，可用于航空航天领域电推进系统、电源系统中功率器件的设计与制造，在辐射环境中实现高效电力电子转换。
一种粒子辐射 vdmos 器件终端制造方法

[实用新型]带有多晶硅场板的功率MOS场效应管-CN200820033232.7有效
发明人：朱袁正;张鲁 -专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请日： 2008-03-18 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种带有多晶硅场板的功率MOS场效应管，其特征在于对MOS场效应管有源区外围的终端保护结构进行了以下几方面改进：1.将单胞阵列的边缘单胞外围的P－阱直接作为场限环；2.将场限环P－区、截止环P－区和单胞阵列的P－阱作为同一制造层，由P型掺杂同时形成；3.省去原来由场氧，将场板结构改由栅氧化硅层与多晶硅组成；4.将场板中的多晶硅作为P型杂质离子注入的阻挡层直接形成场限环P－区，截止环P－区及单胞的P－阱；5.在P型掺杂之后直接进行N型掺杂，使得场限环P－区、截止环P－区和单胞阵列的P－阱三者上部均带N+区。本实用新型节省了有源区光刻版，场限环光刻版及源区注入三层光刻板，在保证产品性能的前提下，减少了光刻次数，大大降低制造成本，可适用于大批量低成本制造功率MOS场效应管。
带有多晶硅场板功率 mos 场效应

[发明专利]带有多晶硅场板的功率MOS场效应管及其制造方法-CN200810019985.7有效
发明人：朱袁正;张鲁 -专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请日： 2008-03-18 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种带有多晶硅场板的功率MOS场效应管及其制造方法，其特征在于对MOS场效应管有源区外围的终端保护结构进行了以下几方面改进：1.将单胞阵列的边缘单胞外围的P^－阱直接作为场限环；2.将场限环P^－区、截止环P^－区和单胞阵列的P^－阱作为同一制造层，由P型掺杂同时形成；3.省去原来由场氧，将场板结构改由栅氧化硅层与多晶硅组成；4.将场板中的多晶硅作为P型杂质离子注入的阻挡层直接形成场限环P^－区，截止环P^－区及单胞的P^－阱；5.在P型掺杂之后直接进行N型掺杂，使得场限环P^－区、截止环P^－区和单胞阵列的P^－阱三者上部均带N⁺区。本发明节省了有源区光刻版，场限环光刻版及源区注入三层光刻板，在保证产品性能的前提下，减少了光刻次数，大大降低制造成本，可适用于大批量低成本制造功率MOS场效应管。
带有多晶硅场板功率 mos 场效应及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111350129.1在审
发明人：俞韬 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件制备方法，包括：具有第一导电类型的基底、表面层、场氧化层、多晶硅场板以及具有第二导电类型的场限环，所述表面层形成于所述基底的表面且所述表面层未掺杂或者所掺杂的杂质浓度小于1×1014cm‑3，所述场氧化层和所述多晶硅场板形成于所述表面层上，所述场氧化层中形成有若干暴露所述表面层的接触孔，所述多晶硅场覆盖所述场氧化层的部分侧面，所述场限环形成于所述接触孔下方的表面层中，相邻的所述场限环通过所述场氧化层隔离。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]深沟槽MOSFET终端结构及其制作方法-CN202210469467.5在审
发明人：罗志云;王飞;潘梦瑜 -专利权人：恒泰柯半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：深沟槽MOSFET终端结构包括：衬底、外延层、氧化层、多晶硅层、体区、漏极金属和多个沟槽掩埋式场限环(buried guard ring)；外延层远离衬底的一侧包括多个沟槽；氧化层位于沟槽内；多晶硅层内嵌于氧化层中，氧化层暴露多晶硅层远离衬底的表面；场限环与沟槽一一对应，场限环位于对应的沟槽的底部；沿MOSFET终端结构远离MOSFET有源区的方向，外延层上的上述多个沟槽依次排列，且该多个沟槽的沟槽深度呈减小趋势
深沟 mosfet 终端结构及其制作方法

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